H20R1203 1200в, 20А TO247 IGBT

Транзистор H20R1203 (полная маркировка IHW20N120R3) производства Infineon Technologyies - это мощный высокотехнологичный IGBT-транзистор третьего поколения со встроенным диодом (технология Reverse Conducting). Он разработан специально для схем с мягким переключением (soft switching) и является самым популярным силовым компонентом для ремонта и производства современных индукционных плит, мультиварок, микроволновых печей и других инверторных бытовых приборов.

Основные характеристики для карты товара:

• Тип транзистора: IGBT с интегрированным диодом (Reverse Conducting)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_ce): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (I_c): 20 А (при 100°C) / 40 А (при 25°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмитер (V_ce/sat): 1.48 В (опасляет минимальные потери энергии)
• Импульсный ток (I_cpuls): 60А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 170 Вт
• Тип корпуса: PG-TO-247-3 (надежный дискретный корпус для эффективного отвода тепла)
• Производитель: Infineon Technologies

Популярные аналоги и заменители: как надежные аналоги и варианты для замены в индукционных плитах могут использоваться транзисторы H20R1202 (IHW20N120R2), H20R1353, H30R1203, FGA25N120ANTD, FGA20N120 или TGA25N120.

Datasheet