H30R1353 (IHW30N135R3) 1350в, 30А TO247 IGBT

Транзистор H30R1353 (полная маркировка IHW30N135R3) производства Infineon Technologyies - это сверхмощный и высокоэффективный IGBT-транзистор третьего поколения со встроенным диодом (технология Reverse Conducting). Он разработан специально для схем с мягким переключением (soft switching) и является одним из самых востребованных силовых компонентов для ремонта и обслуживания современных индукционных плит высокой мощности, мультиварок, микроволновых печей и других инверторных бытовых приборов.

Основные характеристики для карты товара:

• Тип транзистора: IGBT с интегрированным диодом (Reverse Conducting)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_ce): 1350 В
• Максимальный ток коллектора (I_c): 30 А (при 100°C) / 60 А (при 25°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмитер (V_ce/sat): 1.6 В (гарантирует минимальные потери и слабый нагрев)
• Импульсный ток (I_cpuls): 90А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 340 Вт
• Тип корпуса: PG-TO-247-3 (надежный дискретный корпус для эффективного отвода тепла на радиатор)
• Производитель: Infineon Technologies

Популярные аналоги и заменители: как близкие аналоги и варианты для замены в индукционных плитах могут использоваться транзисторы H30R1203, H30R1602, H30R1603 (IHW30N160R3), FGA30N120AND или IHW20N135R3.

Datasheet