H30R1602 (IHW30N160R2 ) 1600в, 30А TO247 IGBT

Транзистор H30R1602 (полная маркировка IHW30N160R2) производства Infineon Technologies - это мощный обратный ведущий IGBT-транзистор с интегрированным диодом, оптимизированный для работы в схемах с мягким переключением. Он специально разработан для применения в мощной бытовой технике, в том числе является основным силовым элементом в индукционных плитах, микроволновках и инверторных системах отопления.

Основные характеристики для карты товара:

• Тип транзистора: IGBT со встроенным диодом (Reverse Conducting)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_ce): 1600 В
• Максимальный ток коллектора (I_c): 30 А (при 100°C) / 60 А (при 25°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмитер (V_ce\sat): 1.8 В
• Импульсный ток (I_cpuls): 90А
• Максимальная мощность рассеивания (P_tot): 312 Вт
• Тип корпуса: PG-TO-247-3 (высокопоточный дискретный корпус)
• Производитель: Infineon Technologies

Популярные аналоги и заменители: Как близкие аналоги и варианты для замены в индукционных плитах могут использоваться транзисторы H30R1603 (IHW30N160R3), H30R1103, H30R1203, H30R1353, FGA30N120AND или FGA25N120.

Datasheet