H30R1353 (IHW30N135R3) 1350в, 30А TO247 IGBT

Транзистор H30R1353 (повне маркування IHW30N135R3) виробництва Infineon Technologies — це надпотужний і високоефективний IGBT-транзистор третього покоління із вбудованим діодом (технологія Reverse Conducting). Він розроблений спеціально для схем із м'яким перемиканням (soft switching) і є одним із найзатребуваніших силових компонентів для ремонту та обслуговування сучасних індукційних плит високої потужності, мультиварок, мікрохвильових печей та інших інверторних побутових приладів.

Основні характеристики для картки товару:

• Тип транзистора: IGBT з інтегрованим діодом (Reverse Conducting)
• Максимальна напруга колектор-емітер (V_ce): 1350 В
• Максимальний струм колектора (I_c): 30 А (при 100°C) / 60 А (при 25°C)
• Напруга насичення колектор-емітер (V_ce/sat): 1.6 В (гарантує мінімальні втрати та слабке нагрівання)
• Імпульсний струм (I_cpuls): 90 А
• Максимальна потужність, що розсіюється (P_tot): 340 Вт
• Тип корпусу: PG-TO-247-3 (надійний дискретний корпус для ефективного відведення тепла на радіатор)
• Виробник: Infineon Technologies

Популярні аналоги та замінники: як близькі аналоги та варіанти для заміни в індукційних плитах можуть використовуватися транзистори H30R1203, H30R1602, H30R1603 (IHW30N160R3), FGA30N120AND або IHW20N135R3.

Datasheet