H30R1602 (IHW30N160R2 ) 1600в, 30А TO247 IGBT

Транзистор H30R1602 (повне маркування IHW30N160R2) виробництва Infineon Technologies — це потужний зворотний провідний IGBT-транзистор з інтегрованим діодом, оптимізований для роботи в схемах із м'яким перемиканням. Він спеціально розроблений для застосування у потужній побутовій техніці, зокрема є основним силовим елементом в індукційних плитах, мікрохвильових пічках та інверторних системах опалення.

Основні характеристики для картки товару:

• Тип транзистора: IGBT із вбудованим діодом (Reverse Conducting)
• Максимальна напруга колектор-емітер (V_ce): 1600 В
• Максимальний струм колектора (I_c): 30 А (при 100°C) / 60 А (при 25°C)
• Напруга насичення колектор-емітер (V_ce\sat): 1.8 В
• Імпульсний струм (I_cpuls): 90 А
• Максимальна потужність, що розсіювання (P_tot): 312 Вт
• Тип корпусу: PG-TO-247-3 (високопотужний дискретний корпус)
• Виробник: Infineon Technologies

Популярні аналоги та замінники: Як близькі аналоги та варіанти для заміни в індукційних плитах можуть використовуватися транзистори H30R1603 (IHW30N160R3), H30R1103, H30R1203, H30R1353, FGA30N120AND або FGA25N120.

Datasheet