HYG011N04 40 в 320 А, TOLL-8-b1

HYG011N04LS1TA — це високоефективний N-канальний силовий MOSFET-транзистор, виконаний за технологією Trench, що забезпечує наднизький опір у відкритому стані та високу щільність струму.

Завдяки опіру всього 1.1 мОм, цей транзистор мінімізує втрати на нагрів і забезпечує максимально можливий ККД вашого обладнання навіть при критичних навантаженнях.

 

Основні переваги та особливості:

• Ультранизький опір: Лише 1.1 мОм що суттєво зменшує тепловиділення.

• Висока струмова потужність: Розрахований на високий постійний струм стоку (до 300A у імпульсному/обмеженому корпусом режимі), що робить його ідеальним для високонавантажених кіл.

• Сумісність із Logic Level (4.5V): Низьке порогове значення затвора дозволяє ефективно керувати транзистором безпосередньо від мікроконтролерів або драйверів.

• Низький заряд затвора: Забезпечує високу швидкість перемикання, що критично важливо для імпульсних джерел живлення та DC-DC перетворювачів.

Сфери застосування:

• БМС плати (BMS) акумуляторів: Захист та комутація високострумових LiFePO4 та Li-Ion збірок (для електросамокатів, повербанків, інверторів).

• Контролери електродвигунів: Силові ключі для інверторів, дронів, електротранспорту та електроінструменту.

• DC-DC перетворювачі та PWM-регулятори: Синхронне випрямлення та високоефективна імпульсна комутація.

• Захист та зварювальне обладнання: Силові блоки спот-зварювальників (Spot Welders) та систем автоматики.

 

Короткі техні технічні характеристики:

Параметр	Значення
Тип транзистора	N-Channel MOSFET
Максимальна напруга сток-витік	40 В
Максимальний струм стоку	До 180A–300A
Опір у відкритому стані	~1.1 мОм
Порогова напруга затвора	1.0V ... 2.5V (Logic-Level)
Робоча температура	-55°C ... +175°C